Cibles et procédés de métrologie de dispositif

Device metrology targets and methods

Abstract

Metrology methods and targets are provided, that expand metrological procedures beyond current technologies into multi-layered targets, quasi-periodic targets and device-like targets, without having to introduce offsets along the critical direction of the device design. Several models are disclosed for deriving metrology data such as overlays from multi-layered target and corresponding configurations of targets are provided to enable such measurements. Quasi-periodic targets which are based on device patterns are shown to improve the similarity between target and device designs, and the filling of the surroundings of targets and target elements with patterns which are based on device patterns improve process compatibility. Offsets are introduced only in non-critical direction and/or sensitivity is calibrated to enable, together with the solutions for multi-layer measurements and quasi-periodic target measurements, direct device optical metrology measurements.
L'invention concerne des cibles et des procédés de métrologie, qui déploient des procédures métrologiques au-delà des technologies actuelles dans des cibles à couches multiples, des cibles quasi périodiques et des cibles de type dispositif, sans avoir à introduire de décalages le long de la direction critique de la conception du dispositif. Plusieurs modèles sont décrits pour dériver des données de métrologie telles que des superpositions à partir de cibles à couches multiples et des configurations correspondantes de cibles sont prévues pour permettre de telles mesures. Des cibles quasi périodiques qui sont basées sur des motifs de dispositif sont présentées afin d'améliorer la similarité entre les conceptions cibles et les conceptions de dispositif, et le remplissage des environs de cibles et d'éléments cibles avec des motifs qui sont basés sur des motifs de dispositif améliore la compatibilité du procédé. Les décalages sont introduits seulement dans un sens non critique et/ou la sensibilité est étalonnée de façon à permettre, conjointement avec les solutions pour les mesures à couches multiples et les mesures des cibles quasi périodiques, des mesures directes de métrologie optique de dispositif.

Claims

Description

Topics

Download Full PDF Version (Non-Commercial Use)

Patent Citations (7)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle
    US-2009244538-A1October 01, 2009Asml Netherlands B.V.Lithographic Apparatus and Device Manufacturing Method Using Overlay Measurement
    US-2011255066-A1October 20, 2011Asml Netherlands B.V.Apparatus and Method for Inspecting a Substrate
    US-2013200535-A1August 08, 2013United Microelectronics Corp.Overlay mark for multiple pre-layers and currently layer
    US-2013342831-A1December 26, 2013Kla-Tencor CorporationDevice-like scatterometry overlay targets
    US-2014002822-A1January 02, 2014Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.Overlay mark and method of measuring the same
    US-2014065736-A1March 06, 2014Kla-Tencor CorporationDevice correlated metrology (dcm) for ovl with embedded sem structure overlay targets
    US-7061615-B1June 13, 2006Nanometrics IncorporatedSpectroscopically measured overlay target

NO-Patent Citations (0)

    Title

Cited By (0)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle